文献
J-GLOBAL ID:200902134374795900
整理番号:93A0320150
サブミクロンMOS型トランジスタにおける三準位電荷ポンピングの応用
Application du pompage de charge <span style=text-decoration:overline>a`</span> trois niveaux aux transistors MOS submicroniques.
著者 (5件):
AUTRAN J L
(Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
BALLAND B
(Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
PLOSSU C
(Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
SEIGNEUR F
(Inst. National des Sciences Appliqu<span style=text-decoration:overline>e ́</span>es de Lyon, Villeurbanne, FRA)
,
GABORIEAU L M
(Co. IBM FRANCE, Corbeil-Essonnes, FRA)
資料名:
Journal de Physique. 3
(Journal de Physique. 3)
巻:
3
号:
1
ページ:
33-45
発行年:
1993年01月
JST資料番号:
B0655B
ISSN:
1155-4320
CODEN:
JPAIEU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
フランス (FRA)
言語:
フランス語 (FR)