文献
J-GLOBAL ID:200902134385039610
整理番号:93A0525908
Molecular beam peitaxial glowth of InAs/GaSb double quantum wells for complementary heterojunction field-effect transistors.
著者 (4件):
YOH K
(Osaka Inst. Technology, Osaka, JPN)
,
KIYOMI K
(Osaka Inst. Technology, Osaka, JPN)
,
YANO M
(Osaka Inst. Technology, Osaka, JPN)
,
INOUE M
(Osaka Inst. Technology, Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
127
号:
1/4
ページ:
29-35
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)