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文献
J-GLOBAL ID：200902134398405160
整理番号：01A1010184
CVD法で成長した4H-SiCエピタキシャル層におけるドーピングとトラップ濃度の減少
Reduction of doping and trap concentrations in 4H-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition.
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NAKAZAWA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
HASHIMOTO K
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 17 ページ： 2761-2763 発行年： 2001年10月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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