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文献
J-GLOBAL ID：200902134432018367
整理番号：96A0798438
GaNヘテロ接合電界効果トランジスタで実現した非常に高いブレークダウン電圧と大きい相互コンダクタンス
Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors.
WU Y-F
(Univ. California, California)
,
KELLER B P
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
KAPOLNEK D
(Univ. California, California)
,
KOZODOY P
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 10 ページ： 1438-1440 発行年： 1996年09月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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