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文献
J-GLOBAL ID：200902134580234010
整理番号：93A0851627
Thermal stability of TiSi2 on high dose ion implanted silicon.
CHEN J F
(National Tsing Hua Univ.)
,
CHEN L J
(National Tsing Hua Univ.)
,
LUR W
(United Microelectronics Corp., Hsinchu, TWN)
資料名：
Rapid Thermal and Integrated Processing 2
(Rapid Thermal and Integrated Processing 2)
ページ： 57-62 発行年： 1993年
JST資料番号： K19930495 ISBN： 1-55899-199-9 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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