文献
J-GLOBAL ID:200902134700558191
整理番号:94A0230538
Delay of field collapse in photoconductive gaps fabricated on GaAs/AlGaAs MODFET material.
著者 (5件):
SHERIDAN J A
(Stanford Univ., CA)
,
SOLOMON P M
(IBM Watson Research Lab., NY)
,
PAO Y C
(Litton Solid State Division, CA)
,
NECHAY B A
(Stanford Univ., CA)
,
BLOOM D M
(Stanford Univ., CA)
資料名:
Proceedings. IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits, 1993
(Proceedings. IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits, 1993)
ページ:
391-400
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19940213
ISBN:
0-7803-0895-6
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)