文献
J-GLOBAL ID:200902134740549608
整理番号:94A0158163
半導体上への金属の電析 III 電荷移動の特徴とSchottkyダイオード形成のための指針
Metal electrodeposition on semiconductors. Part III: Description of charge transfer and implication for the formation of Schottky diodes.
著者 (3件):
ALLONGUE P
(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)
,
SOUTEYRAND E
(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)
,
ALLEMAND L
(Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)
資料名:
Journal of Electroanalytical Chemistry
(Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻:
362
号:
1/2
ページ:
89-95
発行年:
1993年12月30日
JST資料番号:
D0037A
ISSN:
1572-6657
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)