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文献
J-GLOBAL ID：200902134770768789
整理番号：02A0857116
歪制御成長によるInP(311)B基板への超高密度積層InAs量子ドットの製造
Fabrication of ultra-high density InAs-stacked quantum dots by strain-controlled growth on InP(311)B substrate.
AKAHANE K
(Communications Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
OHTANI N
(Communications Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
OKADA Y
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
KAWABE M
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 245 号： 1/2 ページ： 31-36 発行年： 2002年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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