文献
J-GLOBAL ID:200902134839064487
整理番号:02A0889171
SiGeバイポーラ技術による40Gbit/s 27-1 PRBS発生器IC
40Gbit/s 27-1 PRBS Generator IC in SiGe Bipolar Technology.
著者 (5件):
KNAPP H
(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)
,
WURZER M
(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)
,
MEISTER T F
(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)
,
BOECK J
(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)
,
AUFINGER K
(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)
資料名:
Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
(Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting)
巻:
2002
ページ:
124-127
発行年:
2002年
JST資料番号:
W0105A
ISSN:
1088-9299
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)