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文献
J-GLOBAL ID：200902134949204608
整理番号：03A0076225
SiO2ドープSi膜の物理特性と金属/SiO2ドープSi/p-Siダイオードのエレクトロルミネセンス
Physical Properties of SiO2-doped Si Films and Electroluminescence in Metal/SiO2-doped Si/p-Si Diodes.
OSAKA Y
(Hiroshima Kokusaigakuin Univ., Hiroshima, JPN)
,
KOHNO K
(Hiroshima Kokusaigakuin Univ., Hiroshima, JPN)
,
MIZUNO H
(Tokyo Univ. Agricuture and Technol., Koganei, JPN)
,
KOSHIDA N
(Tokyo Univ. Agricuture and Technol., Koganei, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 12 ページ： 7481-7486 発行年： 2002年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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