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文献
J-GLOBAL ID：200902135042567137
整理番号：93A0798321
SbまたはTeの一原子層未満で被覆したけい素(001)上Geの界面活性剤を介する成長
Sufactant-mediated growth of germanium on silicon (001) with submonolayer coverage of Sb and Te.
OSTEN H J
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt(Oder), DEU)
,
KLATT J
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt(Oder), DEU)
,
LIPPERT G
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt(Oder), DEU)
,
BUGIEL E
(Inst. Semiconductor Physics, Frankfurt(Oder), DEU)
,
HIGUCHI S
(TOSOH Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 74 号： 4 ページ： 2507-2511 発行年： 1993年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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