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文献
J-GLOBAL ID：200902135064909970
整理番号：94A0331974
化学気相成長法により作製した2000V 6H-SiC pn接合ダイオード
2000V 6H-SiC p-n junction diodes grown by chemical vapor deposition.
NEUDECK P G
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
SALUPO C S
(Calspan Corp., Ohio)
,
LARKIN D J
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
POWELL J A
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
MATUS L G
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 64 号： 11 ページ： 1386-1388 発行年： 1994年03月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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