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文献
J-GLOBAL ID：200902135100681336
整理番号：93A0660337
Molecular-beam epitaxial growth of boron-doped GaAs films.
HOKE W E
(Raytheon Research Division, Massachusetts)
,
LEMONIAS P J
(Raytheon Research Division, Massachusetts)
,
WEIR D G
(Raytheon Research Division, Massachusetts)
,
HENDRIKS H T
(Raytheon Research Division, Massachusetts)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 11 号： 3 ページ： 902-904 発行年： 1993年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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