文献
J-GLOBAL ID:200902135112883759
整理番号:98A0044231
バルク及びエピタキシャルGaNの化学研磨
Chemical polishing of bulk and epitaxial GaN.
著者 (4件):
WEYHER J L
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
MUELLER S
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
GRZEGORY I
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
182
号:
1/2
ページ:
17-22
発行年:
1997年12月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)