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J-GLOBAL ID：200902135224553298 整理番号：95A0654696

Preparation of Bi₄Ti₃O₁₂ Films by MOCVD and Their Application to Memory Devices.

著者 (4件)：

NAKAMURA T

(ROHM CO., LTD., Kyoto, JPN)

MUHAMMET R

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

SHIMIZU M

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

SHIOSAKI T

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

資料名：

Integrated Ferroelectrics (Integrated Ferroelectrics)

巻： 6 号： 1/4 ページ： 35-46 発行年： 1995年01月
JST資料番号： W0539A ISSN： 1058-4587 CODEN： IFEREU 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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Preparation of Bi4Ti3O12 Films by MOCVD and Their Application to Memory Devices.

Preparation of Bi₄Ti₃O₁₂ Films by MOCVD and Their Application to Memory Devices.