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文献
J-GLOBAL ID：200902135225557670
整理番号：99A0808134
アンモニア分子ビームエピタクシーによって成長させた半絶縁性CドープGaNと高移動度AlGaN/GaNヘテロ構造
Semi-insulating C-doped GaN and high-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy.
WEBB J B
(National Res. Council Canada, Ontario, CAN)
,
TANG H
(National Res. Council Canada, Ontario, CAN)
,
ROLFE S
(National Res. Council Canada, Ontario, CAN)
,
BARDWELL J A
(National Res. Council Canada, Ontario, CAN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 7 ページ： 953-955 発行年： 1999年08月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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