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文献
J-GLOBAL ID：200902135319374226
整理番号：98A0866202
InGaN/GaN多重量子井戸の特性に及ぼすSiドーピングの影響
Influence of Si doping on characteristics of InGaN/GaN multiple quantum wells.
CHO Y-H
(Oklahoma State Univ., Oklahoma)
,
SONG J J
(Oklahoma State Univ., Oklahoma)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
MINSKY M S
(Univ. California, California)
,
HU E
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 8 ページ： 1128-1130 発行年： 1998年08月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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