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文献
J-GLOBAL ID：200902135359388122
整理番号：99A0925993
均一寸法の高密度InAs量子ドットによる低しきい値レーザ動作
Low-threshold lasing from high-density InAs quantum dots of uniform size.
SAITO H
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
NISHI K
(NEC Lab., Ibaraki, JPN)
,
SUGIMOTO Y
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
SUGOU S
(NEC Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 35 号： 18 ページ： 1561-1563 発行年： 1999年09月02日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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