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文献
J-GLOBAL ID：200902135438328747
整理番号：93A0491138
Initial stage of InAs molecular beam epitaxy growth on vicinal GaAs surfaces studied by low energy ion scattering.
KUBO M
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
NARUSAWA T
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号： 129 ページ： 393-398 発行年： 1993年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別： 会議録 (C)
発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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