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文献
J-GLOBAL ID：200902135439611558
整理番号：96A0347437
O2プラズマ暴露中の薄いゲート酸化物と酸窒化物のプラズマ損傷と光アニーリング効果
Plasma Damage and Photo-Annealing Effects of Thin Gate Oxides and Oxynitrides During O2 Plasma Exposure.
LAI K
(Rockwell International, CA, USA)
,
KUMAR K
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
CHOU A
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
LEE J C
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 17 号： 3 ページ： 82-84 発行年： 1996年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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