文献
J-GLOBAL ID:200902135470589340
整理番号:93A0726441
硫黄処理したInP上にN2OおよびSiH4を185nmの直接光分解により生成したシリコン酸化物InP・MISFETへの応用例
Silicon oxide deposited by direct photolysis of N2O and SiH4 at 185 nm on sulfur-treated InP: application to InP MISFETs.
著者 (6件):
PROUST N
(THOMSON-CSF/LCR, Orsay, FRA)
,
PETITJEAN M
(THOMSON-CSF/LCR, Orsay, FRA)
,
ARNODO C
(THOMSON-CSF/LCR, Orsay, FRA)
,
BEGUET M
(THOMSON-CSF/LCR, Orsay, FRA)
,
CHAPEAUBLANC J F
(THOMSON-CSF/LCR, Orsay, FRA)
,
PERRIN J
(Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名:
Microelectronics Journal
(Microelectronics Journal)
巻:
24
号:
4
ページ:
371-376
発行年:
1993年07月
JST資料番号:
A0186A
ISSN:
0026-2692
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)