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文献
J-GLOBAL ID：200902135510422192
整理番号：02A0687153
プレーナマグネトロンスパッタリングにより堆積したGaN膜
GaN films deposited by planar magnetron sputtering.
KIKUMA T
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
TOMINAGA K
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
FURUTANI K
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
KUSAKA K
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
HANABUSA T
(Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
,
MUKAI T
(Nichia Corp., Anan, JPN)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 66 号： 3/4 ページ： 233-237 発行年： 2002年08月19日
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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