文献
J-GLOBAL ID:200902135539539439
整理番号:93A0583239
金属/p-Si接触の測定における落し穴 水素不動態化の効果
Pitfalls in the measurement of metal/p-Si contacts: The effect of hydrogen passivation.
著者 (4件):
SULLIVAN J P
(Univ. Pennsylvania, Pennsylvania)
,
GRAHAM W R
(Univ. Pennsylvania, Pennsylvania)
,
TUNG R T
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
,
SCHREY F
(AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
22
ページ:
2804-2806
発行年:
1993年05月31日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)