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文献
J-GLOBAL ID：200902135681836408
整理番号：01A0284217
ゲート電極に用いるポリSi1-xGex層の酸化挙動におよぼすGe含量の影響
Effects of Ge Content on the Oxidation Behavior of Poly-Si1-xGex Layers for Gate Electrode Application.
AHN T-H
(Hyundai Electronics Ind. Co. Ltd., Kyoungki-do, KOR)
,
YEO I-S
(Hyundai Electronics Ind. Co. Ltd., Kyoungki-do, KOR)
,
KIM T-K
(Hyundai Electronics Ind. Co. Ltd., Kyoungki-do, KOR)
,
JOO M-S
(Hyundai Electronics Ind. Co. Ltd., Kyoungki-do, KOR)
,
KIM H-S
(Hyundai Electronics Ind. Co. Ltd., Kyoungki-do, KOR)
,
KIM J-J
(Hyundai Electronics Ind. Co. Ltd., Kyoungki-do, KOR)
,
JOUNG J-H
(Hyundai Electronics Ind. Co. Ltd., Kyoungki-do, KOR)
,
PARK J W
(Hyundai Electronics Ind. Co. Ltd., Kyoungki-do, KOR)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 148 号： 2 ページ： G50-G54 発行年： 2001年02月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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