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文献
J-GLOBAL ID：200902135742603800
整理番号：95A0769027
四塩化ケイ素を用いたプラズマCVD法によるSiC薄膜の形成
Preparation of SiC Thin Films by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Silicon Tetrachloride.
米久保荘
(信州大)
,
田中裕之
(信州大)
,
上村喜一
(信州大)
,
小沼義治
(信州大)
資料名：
電気学会論文誌 A
(IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 115 号： 8 ページ： 770-774 発行年： 1995年08月
JST資料番号： S0808A ISSN： 0385-4205 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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