文献
J-GLOBAL ID:200902136000885062
整理番号:01A0108885
HF/H2O2による多孔質シリコン形成における金属支援化学エッチング
Metal-assisted chemical etching in HF/H2O2 produces porous silicon.
著者 (2件):
LI X
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
BOHN P W
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
77
号:
16
ページ:
2572-2574
発行年:
2000年10月16日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)