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文献
J-GLOBAL ID：200902136102581815
整理番号：96A0127755
(0001)炭化けい素基板中の研磨関連表面損傷の特性解析
Characterization of Polishing-Related Surface Damage in (0001) Silicon Carbide Substrates.
QIAN W
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA)
,
SKOWRONSKI M
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA)
,
AUGUSTINE G
(Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA)
,
GLASS R C
(Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA)
,
HOBGOOD H MCD
(Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA)
,
HOPKINS R H
(Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 142 号： 12 ページ： 4290-4294 発行年： 1995年12月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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