文献
J-GLOBAL ID:200902136189782803
整理番号:01A0207472
AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタのゲート漏れ電流の機構
Gate leakage current mechanisms in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors.
著者 (3件):
MILLER E J
(Univ. California, California)
,
DANG X Z
(Univ. California, California)
,
YU E T
(Univ. California, California)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
88
号:
10
ページ:
5951-5958
発行年:
2000年11月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)