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文献
J-GLOBAL ID：200902136235332303
整理番号：95A0256115
N-n GaSb/GaInAsSbスタガード配列ヘテロ接合の近傍における再結合
Recombination nearby N-n GaSb/GaInAsSb staggered lineup heterojunction.
POPOV A A
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Academy of Science, St. Petersburg, SUN)
,
IMENKOV A N
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Academy of Science, St. Petersburg, SUN)
,
KOLCHANOVA N M
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Academy of Science, St. Petersburg, SUN)
,
YAKOVLEV YU P
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Academy of Science, St. Petersburg, SUN)
,
PIOTROWSKI T T
(Inst. Electron Technology, Warszawa, POL)
資料名：
Acta Physica Polonica. A
(Acta Physica Polonica. A)
巻： 87 号： 2 ページ： 559-562 発行年： 1995年02月
JST資料番号： A0319A ISSN： 0587-4246 CODEN： APTLBW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ポーランド (POL) 言語： 英語 (EN)
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