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文献
J-GLOBAL ID：200902136255290593
整理番号：98A0740939
GaAs(311)A基板上のGaP/InP短周期超格子構造の成長による量子ドット構造の自己形成過程についての走査型トンネル顕微鏡観察による研究
Scanning Tunneling Microscopy Study on Self-Formation Process of Quantum Dot Structures by the Growth of GaP/InP Short-Period Superlattices on GaAs (311)A Substrate.
NOH J-H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ASAHI H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KIM S-J
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
GONDA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37 号： 6B ページ： 3793-3795 発行年： 1998年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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