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文献
J-GLOBAL ID：200902136388156423
整理番号：93A0549297
Siイオン注入による半絶縁GaAs結晶の電気的活性に対するほう素の影響
Influence of Boron in Semi-insulating GaAs Crystals on Their Electrical Activation by Si-Ion Implantation.
OKUBO S
(Hitachi Cable, Ltd., Hitachi)
,
OTOKI Y
(Hitachi Cable, Ltd., Hitachi)
,
WATANABE M
(Hitachi Cable, Ltd., Hitachi)
,
KUMA S
(Hitachi Cable, Ltd., Hitachi)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 32 号： 5A ページ： 1898-1901 発行年： 1993年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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