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文献
J-GLOBAL ID：200902136402656655
整理番号：01A0310687
(11-20)面上の4H-SiCの金属-酸化物-半導体の電界効果トランジスタについてチャネル移動度が大きく改良された原因
A cause for highly improved channel mobility of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on the (11<span style=text-decoration:overline>2</span>0) face.
YANO H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
HIRAO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 78 号： 3 ページ： 374-376 発行年： 2001年01月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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