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文献
J-GLOBAL ID：200902136465072114
整理番号：03A0004548
けい素メルトからのAcheson種結晶への炭化けい素エピタキシャル層成長
Silicon carbide epitaxial layer growths on Acheson seed crystals from silicon melt.
KHAN M N
(Pakistan Inst. Nuclear Sci. and Technol., Islamabad, PAK)
,
NISHIZAWA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KATO T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KOSUGI R
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ARAI K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 57 号： 2 ページ： 307-314 発行年： 2002年12月
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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