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文献
J-GLOBAL ID：200902136565668324
整理番号：96A0418066
低エネルギーイオン散乱分光法によるSi層中のHe+阻止のその場測定
In-Situ Measurement of He2 Stopping in Si Layers by Low-Energy Ion-Scattering Spectroscopy.
MATSUI M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
UCHIDA F
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAKAGAWA K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
NISHIDA A
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 3 ページ： 1937-1939 発行年： 1996年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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