文献
J-GLOBAL ID:200902136643595665
整理番号:01A0407721
フィールドプレートを有した高絶縁耐圧GaN HFET
High breakdown voltage GaN HFET with field plate.
著者 (6件):
LI J
(Univ. California at Los Angeles, CA, USA)
,
CAI S J
(Univ. California at Los Angeles, CA, USA)
,
PAN G Z
(Univ. California at Los Angeles, CA, USA)
,
CHEN Y L
(Univ. California at Los Angeles, CA, USA)
,
WEN C P
(Univ. California at Los Angeles, CA, USA)
,
WANG K L
(Univ. California at Los Angeles, CA, USA)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
37
号:
3
ページ:
196-197
発行年:
2001年02月01日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)