文献
J-GLOBAL ID:200902136814427189
整理番号:93A0819464
Fermi-level variation on GaAs(110) surface with Sb overlayer studied with a photoelectron microscope.
著者 (3件):
KIM C
(Stanford Synchrotron Radiation Lab., California)
,
CAO R
(Stanford Synchrotron Radiation Lab., California)
,
PIANETTA P
(Stanford Synchrotron Radiation Lab., California)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
11
号:
4
ページ:
1575-1578
発行年:
1993年07月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)