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文献
J-GLOBAL ID：200902136828591534
整理番号：01A0823367
S蒸気圧を制御した水平Bridgman法により成長したCuInS2単結晶の欠陥特性
Defect Properties of CuInS2 Single Crystals Grown by Horizontal Bridgman Method with Controlling S Vapor Pressure.
MATSUSHITA H
(Tokai Univ., Shizuoka, JPN)
,
MIHIRA T
(Nihon Univ., Tokyo, JPN)
,
TAKIZAWA T
(Nihon Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 8 ページ： 4789-4793 発行年： 2001年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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