文献
J-GLOBAL ID:200902136837655723
整理番号:94A0140040
Low-temperature LPE Overgrowth of InGaAs/InP Mesa Heterostructure.
著者 (2件):
PROCHAZKOVA O
(Inst. Radio Engineering and Electronics, Academy of Sciences of the Czech Republic)
,
NOVOTNY J
(Inst. Radio Engineering and Electronics, Academy of Sciences of the Czech Republic)
資料名:
Crystal Research and Technology
(Crystal Research and Technology)
巻:
28
号:
7
ページ:
891-898
発行年:
1993年
JST資料番号:
B0738A
ISSN:
0232-1300
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)