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文献
J-GLOBAL ID：200902136891228652
整理番号：00A0596584
窒素プラズマ処理によるMgドープGaN中のMgアクセプタの再活性化
Reactivation of Mg acceptor in Mg-doped GaN by nitrogen plasma treatment.
KIM S-W
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
LEE J-M
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
HUH C
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
PARK N-M
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
KIM H-S
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
LEE I-H
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
,
PARK S-J
(Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 76 号： 21 ページ： 3079-3081 発行年： 2000年05月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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