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文献
J-GLOBAL ID：200902136911837715
整理番号：96A0957900
水素エッチングによる6H-SiC(0001)基板からの研磨で生じた損傷の除去
Removal of polishing-induced damage from 6H-SiC(0001) substrates by hydrogen etching.
OWMAN F
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
HALLIN C
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
MARTENSSON P
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
,
JANZEN E
(Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 167 号： 1/2 ページ： 391-395 発行年： 1996年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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