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J-GLOBAL ID：200902136978706399 整理番号：94A0146713

シリコン中のボロンの放射強化拡散モデルの開発

The development of the radiation enhanced diffusion model of boron in silicon.

著者 (2件)：

GADIYAK G V

(Inst. Theoretical and Applied Mechanics, Novosibirsk, SUN)

BLAGHININ D E

(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, SUN)

資料名：

Compel (Compel)

巻： 12 号： 4 ページ： 407-416 発行年： 1993年12月
JST資料番号： H0945A ISSN： 0332-1649 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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