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文献
J-GLOBAL ID：200902136997713479
整理番号：96A0543116
バイアス印加ヘリコンプラズマ化学蒸着によって作製したふっ素ドープ安定化酸化けい素膜の特性評価
Characterization of Stable Fluorine-Doped Silicon Oxide Film Prepared by Biased Helicon Plasma Chemical Vapor Deposition.
TAMURA T
(Anelva Corp., Tokyo, JPN)
,
INOUE Y
(Anelva Corp., Tokyo, JPN)
,
SATOH M
(Anelva Corp., Tokyo, JPN)
,
YOSHITAKA H
(Anelva Corp., Tokyo, JPN)
,
SAKAI J
(Anelva Corp., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 4B ページ： 2526-2529 発行年： 1996年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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