文献
J-GLOBAL ID:200902137075884912
整理番号:94A0770762
多孔質シリコンの光電的性質
Photoelectronic properties of porous silicon.
著者 (5件):
OZAKI T
(Tokyo Univ. Agriculture, Tokyo, JPN)
,
ARAKI M
(Tokyo Univ. Agriculture, Tokyo, JPN)
,
YOSHIMURA S
(Tokyo Univ. Agriculture, Tokyo, JPN)
,
KOYAMA H
(Tokyo Univ. Agriculture, Tokyo, JPN)
,
KOSHIDA N
(Tokyo Univ. Agriculture, Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
76
号:
3
ページ:
1986-1988
発行年:
1994年08月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)