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文献
J-GLOBAL ID：200902137090996328
整理番号：98A0745876
エピタキシャル横方向被覆成長により形成したGaN膜中の欠陥の透過型電子顕微鏡による研究
Transmission electron microscopy of defects in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth.
SAKAI A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
SUNAKAWA H
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
USUI A
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 4 ページ： 481-483 発行年： 1998年07月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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