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文献
J-GLOBAL ID：200902137240795091
整理番号：99A0737073
高周波マグネトロンスパッタリング法により蒸着した酸化インジウムすず薄膜の光学電子特性に及ぼす水素分圧の効果
Effect of hydrogen partial pressure on optoelectronic properties of indium tin oxide thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering method.
ZHANG K
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
ZHU F
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore)
,
HUAN C H A
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
WEE A T S
(National Univ. Singapore, Singapore)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 86 号： 2 ページ： 974-980 発行年： 1999年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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