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文献
J-GLOBAL ID：200902137318008539
整理番号：94A0018564
照射したSi-SiO2構造の界面のパラメータに及ぼす熱処理の効果
Effect of heat treatment on the parameters of an interface in Si-SiO2 structures after irradiation.
VOVK O V
(I.I. Mechnikov State Univ., Odessa, SUN)
,
LELECHENKO V P
(I.I. Mechnikov State Univ., Odessa, SUN)
,
SOLOSHENKO V I
(I.I. Mechnikov State Univ., Odessa, SUN)
,
ROIZIN YA O
(I.I. Mechnikov State Univ., Odessa, SUN)
,
CHKUNINA V N
(I.I. Mechnikov State Univ., Odessa, SUN)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 27 号： 8 ページ： 745-747 発行年： 1993年08月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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