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文献
J-GLOBAL ID：200902137424967480
整理番号：00A0586192
絶縁体上SiGe基板にSIMOX技術により作製された歪層Si MOSFETにおける電子および正孔の移動度増大
Electron and Hole Mobility Enhancement in Strained-Si MOSFET’s on SiGe-on-Insulator Substrates Fabricated by SIMOX Technology.
MIZUNO T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TAKAGI S
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SUGIYAMA N
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SATAKE H
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
KUROBE A
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TORIUMI A
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 21 号： 5 ページ： 230-232 発行年： 2000年05月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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