文献
J-GLOBAL ID:200902137453175429
整理番号:93A0535834
GaAsでのTD-EPRによる2E基底状態V2+イオンの研究
Studies of a 2E ground state V2+ ion in GaAs by TD-EPR.
著者 (5件):
VASSON A-M
(Univ. Blaise Pascal-Clermont-Ferrand II, Aubiere, FRA)
,
VASSON A
(Univ. Blaise Pascal-Clermont-Ferrand II, Aubiere, FRA)
,
EL-METOUI M
(Univ. Blaise Pascal-Clermont-Ferrand II, Aubiere, FRA)
,
TEBBAL N
(Univ. Blaise Pascal-Clermont-Ferrand II, Aubiere, FRA)
,
BATES C A
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
資料名:
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻:
5
号:
16
ページ:
2553-2560
発行年:
1993年04月19日
JST資料番号:
B0914B
ISSN:
0953-8984
CODEN:
JCOMEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)