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文献
J-GLOBAL ID:200902137453175429   整理番号:93A0535834

GaAsでのTD-EPRによる2E基底状態V2+イオンの研究

Studies of a 2E ground state V2+ ion in GaAs by TD-EPR.
著者 (5件):
VASSON A-M
(Univ. Blaise Pascal-Clermont-Ferrand II, Aubiere, FRA)
VASSON A
(Univ. Blaise Pascal-Clermont-Ferrand II, Aubiere, FRA)
EL-METOUI M
(Univ. Blaise Pascal-Clermont-Ferrand II, Aubiere, FRA)
TEBBAL N
(Univ. Blaise Pascal-Clermont-Ferrand II, Aubiere, FRA)
BATES C A
(Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)

資料名:
Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)

巻:号: 16  ページ: 2553-2560  発行年: 1993年04月19日 
JST資料番号: B0914B  ISSN: 0953-8984  CODEN: JCOMEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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