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文献
J-GLOBAL ID：200902137559899965
整理番号：98A0349642
極薄ボロンドープエピタキシャルSi層を持つ0.15-μm埋め込みチャネルp-MOSFET
0.15-μm Buried-Channel p-MOSFET’s with Ultrathin Boron-Doped Epitaxial Si Layer.
OHGURO T
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
YAMADA K
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
SUGIYAMA N
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
IMAI S
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
USUDA K
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
YOSHITOMI T
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
FIEGNA C
(Univ. Ferrara, Ferrara, ITA)
,
ONO M
(Toshiba Corp., Kawasaki)
,
IWAI H
(Toshiba Corp., Kawasaki)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 45 号： 3 ページ： 717-721 発行年： 1998年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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