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文献
J-GLOBAL ID：200902137612895713
整理番号：99A0442056
プラズマパッシベーションとHfCコートを行った高電流密度Si電界放出デバイス
High Current Density Si Field Emission Devices with Plasma Passivation and HfC Coating.
RAKHSHANDEHROO M R
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
PANG S W
(Univ. Michigan, MI, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46 号： 4 ページ： 792-797 発行年： 1999年04月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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